SiC二极管

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产品优势
● 正向电压低;
● 高浪涌电流能力;
● 无反向恢复电流;
● 175°C最高结温;
● 开关行为与温度无关。

 

       萃锦半导体一直在通过内部设计、开发、制造碳化硅器件,这是用于高压和高功率应用的先进前沿技术。
       萃锦SiC二极管是一种先进的碳化硅二极管系列。该技术结合了优异的低正向电压和高鲁棒性的优点。SiC二极管适用于需要高功率效率的应用。
       D1系列二极管是萃锦利用MPS技术的SiC二极管家族。这项技术结合了高浪涌电流能力和优异性能的优点,在低频和高频应用中都具有较低的VF和QC。因此,D1系列二极管适用于许多需要卓越效率和更高系统鲁棒性的应用。涵盖了650V、1200V和1700V SiC二极管,为各种功率转换系统(如消费、工业和汽车应用)提供解决方案。

SiC Diode

Qualification

Package

Type

VRRM

IF

VF(typ)

IFSM

QC

Maximum

Junction

Temperature

Data Sheet

Apply Sample

(TC = 150℃)

(TC = 25℃)

BCA120S020D1

Industrial

TO247-2L

1200V

20A

1.39V

135A

121nC

175℃

BCW120D030D1

Industrial

TO247-3L

1200V

15/30A

1.39V

106A 92nC 175℃

BCA120S030D1

Industrial

TO247-2L

1200V

30A

1.39V

180A 180nC

175℃

BCW120D040D1

 Industrial TO247-3L  1200V

 20/40A

 1.39V  135A  121nC 175℃

BCA120S040D1

Industrial

TO247-2L

1200V

40A

1.39V

225A

241nC

175℃

 

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