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产品介绍

SiC MOSFET

SiC MOSFET

Qualification

Package

BVDSS @25℃

RDS (on)@25°C typ

ID@25 ℃ max

VGS (th) @25 ℃ max

Qg (tot) @25 ℃ typ

COSS

Max

Junction

Temperature

 Data Sheet

Apply Sample
BCW120N21M1 Industrial TO247-3L 1200V 21 m? 100 A 4.5 V 209 nC 225pF 175 ℃
BCZ120N21M1 Industrial TO247-4L 1200V 21 m? 100 A 4.5 V 198 nC 224pF 175 ℃

BCW120N40M1

Industrial

TO247-3L

1200V

40 m?

60 A

4.5 V

101nC

123pF

175 ℃

BCZ120N40M1

Industrial

TO247-4L

1200V

40 m?

60 A

4.5 V

109 nC

125pF

175 ℃

BCW120N80M1

Industrial

TO247-3L

1200V

80 m?

30 A

4.5 V

 50nC

65 pF

175 ℃

BCZ120N80M1 Industrial TO247-4L

1200V

80 m?

30 A

4.5 V

 52nC 64 pF 175 ℃

产品特性
● 开关速度高，极低的开关损耗；
● 较低的FOM:闸电荷Qx 导通电阻RDs(on)；
● 快速的体二极管；
● 强大的耐雪崩能力；
● 良好的平衡性能。


产品优势
● 国外碳化硅衬底，高质量的栅氧生长；
● 技术通过1000小时的可靠性测试，系统可靠性高；
● 更高的系统效率；
● 更高频率的适用性；
● 功率密度更高；
● 冷却效率高。


      萃锦的碳化硅MOSFET系列，该技术包括极低的开关损耗、低FOM[QG x RDS（ON）]、无体二极管反向恢复损耗和高鲁棒性。当然，SiC MOSFETs提供了更好的设计灵活性，可实现高系统效率、更高的开关频率，从而以更高的可靠性减小系统尺寸。

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