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Products
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SiC Diode |
Qualification |
Package |
VRRM @25℃ |
IF@151℃ |
VF(typ)@25℃ |
IFSM@25℃ |
IR@25℃ |
QC @25℃ typ |
Max Junction Temperature |
Data Sheet |
Apply Sample |
| BCO120S015D1 |
Industrial |
Bare Die |
1200V |
15 A @151℃ |
1.39V |
106A |
100 μA |
92nC |
175℃ |
 |
|
| BCO120S020D1 |
Industrial |
Bare Die |
1200V |
20 A @150℃ |
1.39V |
135A |
100 μA |
121nC |
175℃ |
|
|
| BCO120S040D1 |
Industrial |
Bare Die |
1200V |
40 A @150℃ |
1.39V |
225A |
100 μA |
241nC |
175℃ |
|
|
|
SiC MOSFET |
Qualification |
Package |
BVDSS @25℃ |
RDS (on)@25°C typ |
ID@25 ℃ max |
VGS (th) @25 ℃ max |
Qg (tot) @25 ℃ typ |
Max Junction Temperature |
Data Sheet |
Apply Sample |
| BCO120N21M1 |
Industrial |
Bare Die |
1200V |
21m? |
100A |
4.5 V |
178nC |
175 ℃ |
|
|
|
BCO120N40M1 |
Industrial |
Bare Die |
1200V |
40m? |
60A |
4.5 V |
101 nC |
175 ℃ |
|
|
|
BCO120N80M1 |
Industrial |
Bare Die |
1200V |
80m? |
30A |
4.5 V |
50 nC |
175 ℃ |
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Wafer
基于国际先进的超结和碳化硅芯片技术，萃锦半导体已研发超结MOSFET、SiC肖特基二极管和SiC MOSFET芯裸芯片和晶圆。
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